销售单位：个

规格型号(MPN)：GT750P10D5

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：24A

类型：1个P沟道

导通电阻：50mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT048N10T

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：110A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.4mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G2K2P10S2E

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：3.5A

类型：2个P沟道

导通电阻：170mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT400P10K

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：35A

类型：1个P沟道

导通电阻：29mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT500P10K

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：30A

类型：1个P沟道

导通电阻：45mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G1K2C10S2

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：3.5A€3A

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：165mΩ@10V€110mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT400P10M

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：35A

类型：1个P沟道

导通电阻：29mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G1K2C10S2

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：3.5A€3A

类型：1个N沟道+1个P沟道

导通电阻：165mΩ@10V€110mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G450N10D52

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：35A

类型：2个N沟道

导通电阻：38mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G080N10T

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：180A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.8mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G080N10M

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：180A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT400P10M

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：35A

类型：1个P沟道

导通电阻：29mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN10H220LPDW-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2.2W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：6.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：8A

类型：MOSFET

导通电阻：222mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G080N10M

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：180A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

ECCN：EAR99

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G2K2P10S2E

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：3.5A

类型：2个P沟道

导通电阻：170mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT400P10K

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：35A

类型：1个P沟道

导通电阻：29mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：GT500P10K

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：30A

类型：1个P沟道

导通电阻：45mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

工作温度：-55℃~+150℃

功率：2W

阈值电压：2.5V

栅极电荷：8.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：3A

类型：MOSFET

导通电阻：170mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G1K3N10LL

连续漏极电流：3.4A

阈值电压：2.5V

类型：1个N沟道

导通电阻：100mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

导通电阻：170mΩ

连续漏极电流：3A

栅极电荷：8.5nC

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

功率：2W

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G1K3N10LL

阈值电压：2.5V

连续漏极电流：3.4A

类型：1个N沟道

导通电阻：100mΩ@10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：2500psc

规格型号(MPN)：SP8K52HZGTB

阈值电压：2.5V

包装方式：Reel

导通电阻：170mΩ

连续漏极电流：3A

栅极电荷：8.5nC

工作温度：-55℃~+150℃

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

功率：2W

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：G080N10M

阈值电压：2.5V

类型：1个N沟道

导通电阻：5.6mΩ@10V

漏源电压：100V

连续漏极电流：180A

包装清单：商品主体 * 1