首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40014M-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40014M-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:275nC@10V

    输入电容:15.78nF@20V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:990mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订5个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订100个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订30个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订30个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订11个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订11个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP235N2001TR-G 起订11个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP235N2001TR-G 起订11个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP235N2001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    输入电容:220pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订500个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOB409L 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB409L

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.1W€83.3W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.953nF@30V

    连续漏极电流:5A€31.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,20A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT088N06T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.62nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT088N06T 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT088N06T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:75W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1.62nF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDEQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:850mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    输入电容:1.201nF@20V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订3000个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订3000个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订8个装
    TOREX Mosfet场效应管 XP263N1001TR-G 起订8个装

    品牌:TOREX

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XP263N1001TR-G

    功率:400mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@20V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:250mΩ@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3407A 起订76个装
    宏迦橙 Mosfet场效应管 HL3407A 起订76个装

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HL3407A

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:572pF@0V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:70pF@0V

    导通电阻:55mΩ@10V,4.1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDEQ-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDEQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:850mW

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:25.3nC@10V

    输入电容:1.201nF@20V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G70N04T 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G70N04T 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G70N04T

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:4.01nF@20V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订18个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA18BDP-T1-GE3 起订18个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA18BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.8W€17W

    阈值电压:2.4V@250μA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:680pF@15V

    连续漏极电流:19A€40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.83mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧