品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
工作温度:150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002PS,115
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF1N03LT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,1.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250μA
输入电容:140pF@5V
连续漏极电流:1.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@10V,1.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:420mW
阈值电压:2.4V@250μA
栅极电荷:800pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:320mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:4pF@10V
导通电阻:1Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: