品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:11.7nC@10V
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A€4.2A
类型:2个N沟道+2个P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
输入电容:436nF@50V
连续漏极电流:2.5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:9nF@50V
导通电阻:180mΩ@10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:2.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@10V,3.5A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:11.7nC@10V
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:6A€4.2A
类型:2个N沟道+2个P沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:170mΩ@5V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G20N03D2
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:873pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: