采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ28N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3560pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT56M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@28A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFQ28N60P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：695W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3560pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@14A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT44F80L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1135W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：305nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9330pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@24A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL033N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6720pF@400V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT44F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1135W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：305nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9330pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@24A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：290nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11600pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@37A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6017LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT19F100J
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8500pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：440mΩ@16A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M65JFLL
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：141nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7010pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@29A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT84M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1135W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：340nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13500pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@42A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL033N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：188nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6720pF@400V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@35A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT38F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1040W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8070pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@20A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MICROSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6017LFLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@17.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH6N120
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：2.6Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT44F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1135W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：305nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9330pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@24A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT44F80B2
工作温度：-55℃~150℃
功率：1135W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：305nC@10V
包装方式：管件
输入电容：9330pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@24A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP16N50P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：330W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1515pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
