采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT40M35JVR
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：1065nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20160pF@25V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@46.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M50JVR
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1000nC@10V
包装方式：管件
输入电容：19600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10025JVR
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：990nC@10V
包装方式：管件
输入电容：18000pF@25V
连续漏极电流：34A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0075120K
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.6W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1350pF@1000V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@20A，15V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS1M080120P
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：79nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1475pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：4V@5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@5V
包装方式：散装
输入电容：950pF@1000V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@20A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：CREE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C2M0080120D
功率：192W
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：98mΩ@20A，20V
输入电容：950pF@1000V
类型：N沟道
阈值电压：4V@5mA
漏源电压：1200V
连续漏极电流：36A
栅极电荷：62nC@5V
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50M50JVFR
阈值电压：4V@5mA
栅极电荷：1000nC@10V
包装方式：管件
输入电容：19600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
