品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:39pF@3V
连续漏极电流:400mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
阈值电压:1.2V@250µA
输入电容:50.54pF@25V
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:160mA
漏源电压:50V
导通电阻:6Ω@100mA,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP56D0UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50.54pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:6Ω@100mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D2LV-7
阈值电压:1.2V@250µA
连续漏极电流:400mA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:39pF@3V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
阈值电压:1.2V@250µA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
阈值电压:1.2V@250µA
功率:400mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
漏源电压:30V
工作温度:150℃
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
输入电容:34pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP231P0201TR-G
工作温度:150℃
功率:400mW
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:P沟道
导通电阻:5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: