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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：140mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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功率：300mW
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032R-T1-GE3
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功率：250mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：0.75nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1032X-T1-GE3
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ECCN：EAR99
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