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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001 起订7个装
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001 起订6000个装

    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    品牌:强茂

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    强茂 Mosfet场效应管 PJC7400_R1_00001
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    强茂 Mosfet场效应管 PJA3402_R1_00001
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    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

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    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:447pF@15V

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    连续漏极电流:4.4A

    栅极电荷:11.3nC@10V

    功率:1.25W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:0.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:28
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST
    TI Mosfet场效应管 CSD87313DMST

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87313DMST

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4290pF@15V

    类型:2N沟道(双)共漏

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN32D2LFB4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN32D2LFB4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:39pF@3V

    连续漏极电流:0.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.2Ω@100mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87334Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
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