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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
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功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMD6P02R2G
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功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
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规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
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功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
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输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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阈值电压：1.2V@250µA
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连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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功率：750mW
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输入电容：1700pF@16V
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类型：2个P沟道（双）
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导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@16V
连续漏极电流：4.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：33mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
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栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
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漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
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