采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：26611，"23+"：22998，"MI+"：9644}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON3818
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@12V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13.5mΩ@8A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040LTS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：890mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@10V
连续漏极电流：6.7A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：26mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ1323NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2055pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：13mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87313DMST
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4290pF@15V
类型：2N沟道（双）共漏
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
