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    阈值电压: 1.2V@250µA
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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    栅极电荷: 6nC@4.5V
    当前匹配商品:90+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:32
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR4501NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:497
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":606,"22+":21000,"23+":57000,"24+":358}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:497
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4P02FT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":30000,"06+":2633,"07+":1939,"08+":49666,"09+":235413,"10+":105000,"11+":30000,"13+":30000,"14+":54000,"MI+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4P02FT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订6000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4501NT1G 起订6000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4501NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1750
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2
    TI Mosfet场效应管 CSD17318Q2

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17318Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:16W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:15.1mΩ@8A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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