采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：0.9A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：0.9A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：900mA
导通电阻：260mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2200UDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：184pF@10V
连续漏极电流：0.9A
类型：P-Channel
导通电阻：260mΩ@880mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
