采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2015UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：42.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1439pF@10V
连续漏极电流：15.2A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@8.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1706pF@10V
连续漏极电流：12.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTK3134NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：310mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：350mΩ@890mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1706pF@10V
连续漏极电流：12.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2040U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：667pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009USS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1706pF@10V
连续漏极电流：12.1A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2009LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2555pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2058U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.13W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：7.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@10V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2005UFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.05W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6495pF@10V
连续漏极电流：18.1A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@13.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2031，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3416_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：513pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2041L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：15.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V
连续漏极电流：6.4A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
