品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8878
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.1W€31W
栅极电荷:26nC@10V
连续漏极电流:9.6A€16.5A
导通电阻:14mΩ@9.6A,10V
输入电容:1230pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
功率:2.4W€25W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:12A€20A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L-L701
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8015L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7A,10V
栅极电荷:19nC@10V
功率:2.3W€24W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:945pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570L
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
连续漏极电流:18A€56A
漏源电压:60V
栅极电荷:88nC@10V
功率:2.3W€54W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
输入电容:6705pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4840NTAG
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW€27.8W
类型:N沟道
输入电容:580pF@15V
导通电阻:24mΩ@20A,10V
栅极电荷:10.8nC@10V
连续漏极电流:4.6A€26A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":16159}
规格型号(MPN):NTMS4816NR2G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1060pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@9A,10V
功率:780mW
栅极电荷:18.3nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT451AN
输入电容:720pF@15V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:35mΩ@7.2A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:7.2A
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
功率:2.5W€78W
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
栅极电荷:84nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7696
功率:2.4W€25W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:1430pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@12A,10V
栅极电荷:22nC@10V
连续漏极电流:12A€20A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6670A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:30nC@5V
输入电容:2220pF@15V
类型:N沟道
连续漏极电流:13A
导通电阻:8mΩ@13A,10V
功率:2.5W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN5630
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:100mΩ@1.7A,10V
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:10nC@10V
功率:500mW
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7660
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5565pF@15V
连续漏极电流:25A€42A
功率:2.5W€78W
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
栅极电荷:84nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8360LET40
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:27A€141A
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@27A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€75W
输入电容:5300pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"05+":204,"07+":34200}
规格型号(MPN):NTD4302-1G
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:8.4A€68A
类型:N沟道
功率:1.04W€75W
包装方式:管件
输入电容:2400pF@24V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC5661N
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:19nC@10V
导通电阻:47mΩ@4.3A,10V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8321LDC
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W€56W
类型:N沟道
连续漏极电流:27A€108A
输入电容:3965pF@20V
导通电阻:2.5mΩ@27A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":1277}
规格型号(MPN):FDB8832
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:34A€80A
栅极电荷:265nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:1.9mΩ@80A,10V
功率:300W
输入电容:11400pF@15V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:44A€130A
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:170nC@10V
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
输入电容:11635pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR4503NT1G
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:250pF@24V
导通电阻:110mΩ@2.5A,10V
功率:420mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8886
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:6.5A€8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@6.5A,10V
输入电容:465pF@15V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:7.4nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4213}
规格型号(MPN):FDD8444L-F085
输入电容:5530pF@25V
连续漏极电流:16A€50A
包装方式:卷带(TR)
功率:153W
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:60nC@5V
工作温度:-55℃~175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:5.2mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7678
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2410pF@15V
功率:2.3W€41W
导通电阻:5.5mΩ@17.5A,10V
连续漏极电流:17.5A€26A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: