采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
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输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
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输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
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输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30634，"23+"：38095}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2238}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
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栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：4.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5661N
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：763pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
