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    阈值电压: 3V@250µA
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    漏源电压: 40V
    当前匹配商品:1100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4004LPS-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4004LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:82.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4508pF@20V

    连续漏极电流:26A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4036LK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4036LK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.12W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:9.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:453pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8321L 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8321L 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:22A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8460 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8460

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7205pF@20V

    连续漏极电流:25A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:153W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14100pF@20V

    连续漏极电流:53.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8840NZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8840NZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8840NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7535pF@20V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4010LFG-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4010LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:930mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1810pF@20V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8320LDC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8320LDC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8320LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11635pF@20V

    连续漏极电流:44A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@44A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2318DS-T1-BE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@20V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8638 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8638

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5680pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@18A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.99W€55.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@20V

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4840BDY-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@12.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321LDC 起订329个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5158,"23+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W€56W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@20V

    连续漏极电流:27A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8840NZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8840NZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8840NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:144nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7535pF@20V

    连续漏极电流:18.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@18.6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3438DV-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3438DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@20V

    连续漏极电流:7.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:35.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8320LDC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8320LDC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8320LDC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11635pF@20V

    连续漏极电流:44A€130A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@44A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4026SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4026SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1181pF@20V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7884BDP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7884BDP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€46W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3540pF@20V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8327L-L701 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8327L-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€30W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1850pF@20V

    连续漏极电流:12A€14A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.7mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€54W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5795pF@20V

    连续漏极电流:27A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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