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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
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功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
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输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：549pF@50V
类型：N沟道
功率：1.3W
栅极电荷：10nC@10V
连续漏极电流：3.6A
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@3.5A，10V
输入电容：555pF@15V
栅极电荷：7nC@5V
连续漏极电流：3.6A
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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