品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23100}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23100}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23100}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:11110pF@20V
连续漏极电流:36A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23100}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:11110pF@20V
连续漏极电流:36A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":23100}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
输入电容:11110pF@20V
连续漏极电流:36A€100A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11635pF@20V
连续漏极电流:44A€130A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":91042,"20+":3000,"21+":72313,"22+":4412,"MI+":22800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8320LDC
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:44A€130A
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:170nC@10V
导通电阻:1.1mΩ@44A,10V
输入电容:11635pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: