采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1120，"10+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4840NR2G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：24mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：520pF@15V
功率：680mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
类型：N沟道
功率：1.25W€1.66W
栅极电荷：9.6nC@10V
输入电容：350pF@15V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：4.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2316BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@15V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
