品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:2N沟道(双)
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:24A
ECCN:EAR99
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1329}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6017SK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2711pF@15V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8240LET40
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:24A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.6mΩ@23A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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