品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N06LESM9A
工作温度:-55℃~175℃
功率:90W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:47mΩ@16A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
连续漏极电流:16.5A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
类型:N沟道
连续漏极电流:16.5A
栅极电荷:62nC@10V
漏源电压:20V
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8554
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€41W
类型:N沟道
连续漏极电流:16.5A
栅极电荷:62nC@10V
漏源电压:20V
导通电阻:5mΩ@16.5A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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