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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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功率：1.45W
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栅极电荷：20.5nC@10V
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输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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功率：1.45W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
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功率：1.45W
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ECCN：EAR99
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输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
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功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
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功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
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栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
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功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：1.45W
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输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4407SSS-13
工作温度：-50℃~150℃
功率：1.45W
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栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2246pF@15V
连续漏极电流：9.9A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@12A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8N10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.3W€70W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
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