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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"18+"：549，"19+"：870，"17+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
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功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
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功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7672
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功率：2.5W€48W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@15V
连续漏极电流：19A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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生产批次：{"21+"：3000，"18+"：549，"19+"：870，"17+"：1800}
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规格型号(MPN)：FDMS7676
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：24A
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导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
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栅极电荷：44nC@10V
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输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@15V
连续漏极电流：16A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR468DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR468DP-T1-GE3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
类型：N沟道
输入电容：1720pF@15V
阈值电压：3V@250µA
连续漏极电流：40A
功率：5W€50W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7672
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
类型：N沟道
连续漏极电流：19A€28A
输入电容：2960pF@15V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：5mΩ@19A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4168DY-T1-GE3
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：2.5W€5.7W
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：24A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7672
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功率：2.5W€48W
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS7672
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€48W
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栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2960pF@15V
连续漏极电流：19A€28A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@19A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR468DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR468DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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