采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2318CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD444
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€20W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA416DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@50V
连续漏极电流：11.3A
类型：N沟道
导通电阻：83mΩ@3.2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：226pF@100V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD444
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€20W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD444
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€20W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5630
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4034SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@20V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD444
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€20W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4502PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@15V
连续漏极电流：1.13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.95A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD444
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€20W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@30V
连续漏极电流：4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
