采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU15N10A-TP
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@30V
连续漏极电流：4.3A€10A
类型：N沟道
导通电阻：69mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU45N10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：72W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1135pF@50V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3407A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：830pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@4.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2002A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：733pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：540mΩ@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
