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    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMD4N03R2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":5005,"23+":4172,"MI+":1351}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMD4N03R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:60mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:639
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2P-Channel

    导通电阻:38mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:80
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2P-Channel

    导通电阻:38mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCT04N10B-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCT04N10B-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1143pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4441 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4441

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1120pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2P-Channel

    导通电阻:38mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP4050SSDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP4050SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5902BDC-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5902BDC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.12W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:220pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP
    onsemi Mosfet场效应管 FDC658AP

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC658AP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT10H072LFDFQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT10H072LFDFQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:228pF@50V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:62mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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