品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:10nC@10V
功率:250mW
类型:P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:226pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM2307CX RFG
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:565pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: