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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
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规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCQ4435A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
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功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4822SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.42W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：478.9pF@16V
连续漏极电流：10A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8.5A，10V
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