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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
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功率：1.2W
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输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
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输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7336ADP-T1-E3
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功率：5.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5600pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3009LDT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：2N沟道（双）非对称型
导通电阻：11.1mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR462DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€41.7W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
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