采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：10+
规格型号(MPN)：FDB6670AL
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2440pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@5V
功率：68W
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
阈值电压：3V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：10+
规格型号(MPN)：FDB6670AL
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2440pF@15V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@5V
功率：68W
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
阈值电压：3V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
功率：110W
连续漏极电流：80A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：64nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2360pF@15V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y10-30PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2360pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@13.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：10+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB6670AL
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2440pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@40A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：214nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12585pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
