采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5005，"23+"：4172，"MI+"：1351}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMD4N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：60mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7316QTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFV-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：3163，"17+"：3306，"21+"：907，"22+"：3801，"23+"：7329，"MI+"：2187}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7316QTR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：710pF@25V
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：58mΩ@4.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM3457CX6 RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：551.57pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3009LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDF-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6405
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
