品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
功率:900mW
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4532DY
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:3.9A€3.5A
功率:900mW
输入电容:235pF@10V
类型:N和P沟道
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
导通电阻:65mΩ@3.9A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:6.9A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
功率:900mW
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
输入电容:575pF@15V
导通电阻:28mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
功率:900mW
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6930B
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:38mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:412pF@15V
类型:2N沟道(双)
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:5.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6975
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
类型:2个P沟道(双)
输入电容:1540pF@15V
导通电阻:32mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8958B
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:540pF@15V
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:6.4A€4.5A
导通电阻:26mΩ@6.4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6975
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8958A-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:7A€5A
类型:N和P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6930B
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:412pF@15V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8858CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1205pF@15V
连续漏极电流:8.6A€7.3A
类型:N和P沟道
导通电阻:17mΩ@8.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6982AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@10V
连续漏极电流:6.3A€8.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6.3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8958B
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:6.4A€4.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:26mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4935BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@15V
连续漏极电流:6.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:22mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6975
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1540pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:32mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: