品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7806ADN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5504BDC-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.12W€3.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:220pF@15V
连续漏极电流:4A€3.7A
类型:N和P沟道
导通电阻:65mΩ@3.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:3.1A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:42mΩ@5.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4816BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.25W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:5.8A€8.2A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:18.5mΩ@6.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:15.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1020pF@15V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:26.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4425BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.8A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2303CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€2.3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:155pF@15V
连续漏极电流:2.7A
类型:P沟道
导通电阻:190mΩ@1.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3483CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:34mΩ@6.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7994DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7336ADP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5600pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4842BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W€6.25W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@15V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4413ADY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:95nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10.5A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3456DDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€2.7W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:325pF@15V
连续漏极电流:5A€6.3A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4435DDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@15V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@9.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3457CDV-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:4.1A€5.1A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@4.1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7421DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.4A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@9.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1302DL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@600mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: