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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3711TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€120W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3711TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€120W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3711TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€120W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2980pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
连续漏极电流：16.5A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
栅极电荷：78nC@10V
输入电容：4200pF@10V
功率：5.2W€104W
漏源电压：20V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
类型：N沟道
连续漏极电流：16.5A
栅极电荷：62nC@10V
漏源电压：20V
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：6000}
规格型号(MPN)：IRFR3711TRLPBF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：6.5mΩ@15A，10V
类型：N沟道
功率：2.5W€120W
连续漏极电流：100A
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：2980pF@10V
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：44nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8554
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3380pF@10V
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€41W
类型：N沟道
连续漏极电流：16.5A
栅极电荷：62nC@10V
漏源电压：20V
导通电阻：5mΩ@16.5A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIE822DF-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€104W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3704
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1996pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR3704
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1996pF@10V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@15A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA430DJT-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
