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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD14AN06LA0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：2866pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
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规格型号(MPN)：FDD14AN06LA0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
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输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：2866pF@50V
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类型：N沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
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输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SIDR870ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
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连续漏极电流：95A
类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：125W
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连续漏极电流：95A
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功率：125W
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2866pF@50V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@20A，10V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2810pF@25V
连续漏极电流：9.5A€50A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@50A，10V
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