采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SFGQ-13
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
功率：2.4W
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
输入电容：1172pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
规格型号(MPN)：FDS8638
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
输入电容：5680pF@15V
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
功率：2.5W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
输入电容：1172pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
输入电容：1172pF@50V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6069SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：N-Channel
导通电阻：50mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：78，"19+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8638
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H100SK3-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1172pF@50V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
