品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT10H025LK3-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1477pF@50V
连续漏极电流:47.2A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1155pF@15V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8012LK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2051pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4007LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:29.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1895pF@30V
连续漏极电流:16.8A€70A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: