采购热线 400-661-9010
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L-L701
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2041
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4686DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€5.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：18.2A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：5486，"12+"：162000，"16+"：147000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8680
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1590pF@15V
连续漏极电流：14A€35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@14A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7686DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€37.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1220pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8327L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1850pF@20V
连续漏极电流：12A€14A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2041
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8878
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1230pF@15V
连续漏极电流：9.6A€16.5A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
