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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1003A
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：622pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SFCL-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：12.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：606pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2318DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@20V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@3.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
