采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
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输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22.4nC@10V
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输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
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输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：44600，"05+"：1400，"08+"：4968，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：44600，"05+"：1400，"08+"：4968，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
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输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
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输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：1287pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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功率：1.2W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
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功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
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连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1287pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
漏源电压：45V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4060SVT-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
功率：1.2W
栅极电荷：22.4nC@10V
导通电阻：46mΩ@4.3A，10V
输入电容：1287pF@25V
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