品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6682
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:27nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:14A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:1.6W
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1506,"20+":2176}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6682
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6682
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:31nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4430BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:36nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: