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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
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功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
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功率：3.75W€375W
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栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
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功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
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输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
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规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
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功率：3.75W€375W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：110A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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栅极电荷：350nC@10V
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栅极电荷：350nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
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连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€375W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
输入电容：11200pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：350nC@10V
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
功率：3.75W€375W
类型：P沟道
阈值电压：3V@250µA
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：8320pF@20V
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
功率：333W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM110P04-04L-E3
输入电容：11200pF@25V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
栅极电荷：350nC@10V
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
功率：3.75W€375W
类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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工作温度：-55℃~175℃
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输入电容：11200pF@25V
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类型：P沟道
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：350nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11200pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：4.2mΩ@30A，10V
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