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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-09L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-09L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7611DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€39W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@20V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@9.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50P04-09L-E3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€136W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7463DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：9.2mΩ@18.6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.7A
类型：P沟道
导通电阻：14mΩ@10.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319DS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@20V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
