采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013LFG-7
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：3426pF@20V
漏源电压：40V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
功率：1W
导通电阻：13mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LFG-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：2569pF@30V
栅极电荷：53.1nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
连续漏极电流：7.7A
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFV-7
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2147pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：11A€35A
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：549pF@50V
类型：N沟道
连续漏极电流：3.8A
栅极电荷：10.6nC@10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFG-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.3A€45A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2577pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：55.4nC@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
导通电阻：13mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LFG-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：2569pF@30V
栅极电荷：53.1nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
连续漏极电流：7.7A
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013LFGQ-7
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：3426pF@20V
漏源电压：40V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
功率：1W
导通电阻：13mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCGQ-13
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
输入电容：2826pF@15V
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCGQ-13
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
输入电容：2826pF@15V
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6013LFGQ-7
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10.3A€45A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：2577pF@30V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：55.4nC@10V
功率：1W
导通电阻：13mΩ@10A，10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LFG-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：2569pF@30V
栅极电荷：53.1nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
连续漏极电流：7.7A
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4008LFG-7
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3537pF@20V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：74nC@10V
连续漏极电流：14.4A
导通电阻：7.5mΩ@10A，10V
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LFG-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
输入电容：2569pF@30V
栅极电荷：53.1nC@10V
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@5A，10V
连续漏极电流：7.7A
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：549pF@50V
类型：N沟道
连续漏极电流：3.8A
栅极电荷：10.6nC@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFVQ-7
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1155pF@15V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
连续漏极电流：60A
功率：1W
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3018SFV-13
导通电阻：12mΩ@11.5A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：2147pF@15V
工作温度：-55℃~150℃
类型：P沟道
栅极电荷：51nC@10V
连续漏极电流：11A€35A
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3007SCGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2826pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：6.8mΩ@11.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT3006LFVQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1155pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4013LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：68.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3426pF@20V
连续漏极电流：10.3A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
