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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
导通电阻：95mΩ@3A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：4.2nC@4.5V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
功率：770mW
输入电容：360pF@10V
阈值电压：3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：388pF@40V
类型：P沟道
功率：770mW
导通电阻：800mΩ@1A，10V
连续漏极电流：1A
栅极电荷：3.2nC@10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4184PFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@10V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI01P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：388pF@40V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
