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    阈值电压: 3V@250µA
    功率: 3.1W
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 Si4943CDY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):Si4943CDY-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

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    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4943CDY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4943CDY-T1-E3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1945pF@10V

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    导通电阻:19.2mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AO4407AL 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4407AL 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    AOS Mosfet场效应管 AO4407A 起订14个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4407A 起订14个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-E3 起订1250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4900DY-T1-E3 起订1250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4900DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订66个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订66个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订18个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订18个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订56个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订56个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9945BDY-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:58mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订175个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86102LZ 起订175个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":23400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86102LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1275pF@50V

    连续漏极电流:8.3A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@8.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4421

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4421 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4421

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2900pF@30V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@6.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4480 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4480

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1920pF@20V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH8012LPSW-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH8012LPSW-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1949pF@40V

    连续漏极电流:53.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@12A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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