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    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185L 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185L

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8444L-F085 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4213}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8444L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:153W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5530pF@25V

    连续漏极电流:16A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL9403L-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL9403L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14100pF@20V

    连续漏极电流:53.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.99W€55.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@20V

    连续漏极电流:14.4A€64.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4008LFDFWQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4008LFDFWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:990mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1030pF@20V

    连续漏极电流:11.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9411L-F085 起订785个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":7500,"21+":1315}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9411L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1210pF@20V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8453LZ-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:118W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3515pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.7mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1404STRLPBF 起订241个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL1404STRLPBF 起订241个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2400,"24+":0,"MI+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL1404STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6600pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@95A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD609 起订6个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD609 起订6个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD609

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPSQ-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPSQ-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:15.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订8个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD4185 起订8个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD4185

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€62.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2550pF@20V

    连续漏极电流:40A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W€150W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:15.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@20V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4763pF@20V

    连续漏极电流:69A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y24-40PX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y24-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@20V

    连续漏极电流:39A

    类型:P沟道

    导通电阻:24mΩ@8,2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4014LFVWQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4014LFVWQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@20V

    连续漏极电流:11.5A€49.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8360LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":520,"22+":3759,"23+":3000,"MI+":3255}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8360LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@20V

    连续漏极电流:27A€141A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@27A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8350LET40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8350LET40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":2960}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8350LET40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.33W€125W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:219nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16590pF@20V

    连续漏极电流:49A€300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.85mΩ@47A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y14-40PX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y14-40PX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:64A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10,8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4029LFGQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4029LFGQ-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1626pF@20V

    连续漏极电流:8A€22A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4013SK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4004pF@20V

    连续漏极电流:55A

    类型:P沟道

    导通电阻:15mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD413A 起订17个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD413A 起订17个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD413A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1125pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD4685-F085P 起订385个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":4940}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD4685-F085P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2380pF@20V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4007LK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4007LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:29.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1895pF@30V

    连续漏极电流:16.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD609 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD609 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD609

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N和P沟道,共漏

    导通电阻:30mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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