品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:130.8nC@10V
导通电阻:2mΩ@50A,10V
功率:167W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
输入电容:6555pF@30V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
功率:227W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:125nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
连续漏极电流:100A
输入电容:6700pF@25V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:47.4nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
输入电容:24740pF@25V
漏源电压:40V
类型:N沟道
栅极电荷:450nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
连续漏极电流:100A
栅极电荷:47.4nC@4.5V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:83nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4450pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7253,"13+":7356}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP8440
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:450nC@10V
包装方式:管件
输入电容:24740pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH4004LK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€180W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W€138W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4515pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6002LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6555pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: