品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W
类型:P-Channel
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463DP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:11A
栅极电荷:140nC@10V
导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V
类型:P沟道
功率:1.9W
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
连续漏极电流:8.7A
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4599DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3W€3.1W
输入电容:640pF@20V
类型:N和P沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.8A€5.8A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4124DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:2.5W€5.7W
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14A,10V
输入电容:3540pF@20V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:20.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:2400pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€48.1W
栅极电荷:56nC@10V
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:14A€50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
功率:4.2W€36W
导通电阻:9mΩ@16A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4599DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3W€3.1W
输入电容:640pF@20V
类型:N和P沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:6.8A€5.8A
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
漏源电压:3V
连续漏极电流:19A
类型:N-Channel
导通电阻:9mΩ
功率:2.5W€6W
输入电容:2000pF@20V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:17nC@10V
导通电阻:82mΩ@3A,10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.5W
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
类型:P沟道
连续漏极电流:8.7A
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7848BDP-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:50nC@10V
类型:N沟道
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:47A
功率:4.2W€36W
导通电阻:9mΩ@16A,10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7463DP-T1-GE3
导通电阻:9.2mΩ@18.6A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:P沟道
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
栅极电荷:140nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4401BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
类型:P-Channel
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:2.9W
连续漏极电流:8.7A
导通电阻:14mΩ
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD50N04-8M8P-4GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
输入电容:2400pF@20V
类型:N沟道
功率:3.1W€48.1W
栅极电荷:56nC@10V
导通电阻:8.8mΩ@20A,10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:14A€50A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:17nC@10V
导通电阻:82mΩ@3A,10V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
栅极电荷:15nC@10V
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:50nC@10V
漏源电压:3V
连续漏极电流:19A
类型:N-Channel
导通电阻:9mΩ
功率:2.5W€6W
输入电容:2000pF@20V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3438DV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@20V
连续漏极电流:7.4A
类型:N沟道
导通电阻:35.5mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4840BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:19A
类型:N-Channel
导通电阻:9mΩ
漏源电压:3V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2318DS-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@3.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2319DS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@20V
连续漏极电流:2.3A
类型:P沟道
导通电阻:82mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: